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高导热氮化硅陶瓷基板
氮化硅陶瓷材质,采用特殊的配方和工艺,每片基板均经过2000°C高温烧结,导热系数>80W/(m*k),已通过国际头部企业质量检测,尺寸根据客户需求定制化。
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高导热氮化硅陶瓷基板
所属分类:
陶瓷基板

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高导热氮化硅陶瓷基板
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氮化硅陶瓷材质,采用特殊的配方和工艺,每片基板均经过2000°C高温烧结,导热系数>80W/(m*k),已通过国际头部企业质量检测,尺寸根据客户需求定制化。
产品特点:电绝缘、高导热、低介电损耗、高强度,适用于发热量大的第三代半导体器件如IGBT、MOSFET等,起到良好的散热和封装效果。
应用领域包括:新能源汽车,混合动力汽车,高铁,电机驱动模块,新能源充电桩等。
项目Test lteme | 单位Unit | SN65 | SN80 | SN90 |
颜色 Color |
- | 灰色 | 灰色 | 灰色 |
密度 Density |
g/cm3 | ≥3.2 | ≥3.2 | ≥3.2 |
粗糙度 Roughness |
μm | 0.2-0.6 | 0.2-0.6 | 0.2-0.6 |
抗弯强度 Bending strength |
MPa | ≥650 | ≥700 | ≥700 |
翘曲度 Warping Degree |
‰ | ≤3 | ≤3 | ≤3 |
热导率 Thermal Conductivity |
W/(m·K) | ≥65 | ≥80 | ≥90 |
热膨胀系数 Thermal Expansivity |
10-6/k@200-400℃ | 2.5-2.8 | 2.5-2.8 | 2.5-2.8 |
绝缘耐压 Insulation and Voltage resistance |
kv/mm | >20 | >20 | >20 |
体积电阻 Volume Resistance |
Ω·cm | ≥1014 | ≥1014 | ≥1014 |
介电常数 Dielectric Constant |
RT,1MHz | 7-9 | 7-9 | 7-9 |
介电损耗 Dielectric Loss |
RT,1MHz | <0.001 | <0.001 | <0.001 |
杨氏模量 Young's Modulus |
GPa | 300±30 | 300±30 | 300±30 |
维氏硬度 Vickers Hardness |
GPa | >14 | >14 | >14 |
断裂韧性 Breaking Tenacity |
MPa·m1/2 | ≥6.5 | ≥6.5 | ≥6.5 |
产品尺寸 Product Dimensions |
厚度Thickness | 长*宽Length*Width | ||
0.25±0.03mm | 0.32±0.03mm | 114.3(±0.1)mm*114.3(±0.1)mm | ||
0.635±0.05mm | 1±0.05mm | 190.5(±0.1)mm*138(±0.1)mm |
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